英特尔即将推出45纳米工艺的新一代产品。在本届技术峰会上，英特尔技术与制造事业部的马博院士对外揭示了45纳米工艺的相关成就，马博表示45纳米工艺是英特尔40年来在半导体领域的最大突破之一，英特尔不仅成功地将半导体线宽降低到45纳米，更关键的是高K值材料和金属栅极技术的成功联合应用，其中高K材料制作的电极将电流增加了20%，与之相应，晶体管的性能可获得20%的提升，消耗的电力也降低30%；另外，漏极的漏电流也降低5倍以上，从而成功地跨入45纳米时代。

英特尔展出的Penryn处理器晶圆，采用先进的45纳米工艺生产。

45纳米工艺的导入，成功地保证了芯片的低能耗和更高频率运作，同时也为进一步加大芯片的晶体管集成度作好了基础。英特尔在芯片设计上已经做好了准备，代号为“Penryn”的新一代处理器将二级缓存从Merom的4MB提升到6MB，此举虽然导致晶体管总数大幅度攀升，但在45纳米工艺的保驾护航下，Penryn的芯片面积与功耗都依然保持在良好的水平，而芯片的性能却有高达40%的提升，这将进一步增强英特尔在桌面、移动和服务器领域的竞争力。英特尔在峰会上披露，双核心的Penryn总共拥有超过4亿枚晶体管，但核心面积控制在100平方毫米左右，同现行的Core 2 Duo处理器没有多大的差异，换句话说，Penryn的制造成本并不会比现在的Core 2 Duo更高。

我们来看看Penryn在设计上的改进。Penryn依然隶属于酷睿微架构，但它作了相当的优化和改良，超宽动态执行单元的效率获得进一步的提升，工作频率也将提升到3GHz以上；其次，Penryn将采用SSE4指令集，SSE4新增了47条指令，这些新指令广泛用于浮点计算、3D图形、多媒体编解码、加密/解密操作等等，旨在提升CPU在执行这类任务的效能；第三，Penryn的前端总线将达到1600MHz，但只有基于Penryn的Xeon处理器和终极版桌面处理器才会达到这一指标，主流桌面和移动芯片则停留在1333MHz—即便如此，Penryn的前端总线也创下了新记录，很明显英特尔意识到自身产品在I/O带宽方面的不足，在新一代架构到来之前，英特尔必须通过提升前端总线频率来加以应对。另外，Penryn将拥有6MB容量的二级缓存，这也创下PC处理器的最高记录。

为Penryn平台量身定做的P35+ICH9芯片组

至于在功耗方面，英特尔将在Penryn处理器上导入“Deep Power Down”的技术，或者说是更低的节电状态C6。新的C6状态可以将处理器的核心电压降至45纳米工艺允许的极限，在该状态下，除了降低处理器核心频率以外还将会关闭所有的高速缓存，而缓存中的数据则被转移—尽管从C6模式恢复到运行状态需要数个时钟周期，对性能会有一定的影响，但它的好处是可以将处理器的能耗降到最低限度，达到延长电池续航能力的目的。其次，Penryn同样具有类似迅驰4 IDA的动态超频技术，不过其名称更改为“Enhanced Dynamic Acceleration Technology（增强型动态加速技术，简称为EDAT）”，EDAT技术除了可以在单线程应用中对工作的核心进行动态超频，并将闲置的核心进入最低耗电状态以外，还能够对多核处理器的核心频率进行调整，即当所有核心处于运行状态时，EDAT会根据任务所需将各个核心的频率和电压适当降低，在不影响性能的前提下尽可能降低芯片的实际功耗。

尽管还没有产品推出，英特尔在技术峰会上仍然披露了Penryn的详细性能，在与同频率Conroe系统的对比测试中，Penryn的游戏性能可获得超过15%的提升，而在视频解码任务中，如果Penryn的SSE4发挥效用，那么它的性能领先幅度可达到40%以上。功耗方面，桌面版Penryn仍然保持65瓦的TDP，不过也提供95瓦和130瓦的高性能版本（估计是高频版和四核版），服务器版的Penryn则提供40瓦-120瓦等多个TDP的型号以满足不同的需求。毫无疑问，Penryn的出台将给AMD带来更大的压力，而英特尔将进一步巩固自身在处理器市场的主导地位。