IBM在半导体技术领域一直都扮演着领导者的角色，包括AMD、特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星等半导体厂商都围绕在IBM周围，共同开发新一代半导体技术，如AMD所用的65纳米以及将于2008年引入的45纳米技术都主要出自IBM之手。在2007年的12月份，IBM又接着宣布高K值电介质金属栅极（High-K Metal Gate）材料技术研发成功，并将于2009年下半年投入到32纳米工艺中，届时AMD等合作伙伴将从新技术中明显受益。

高K值电介质金属栅极的研究始于2007年的1月份，这项研究由IBM、索尼和东芝等伙伴共同进行。实际上，英特尔已经在现行的45纳米技术中率先导入这项材料技术，英特尔的技术方案是使用了基于铪元素的高K值电介质金属栅极，并声称可以将栅极漏电降低到原有水平的十分之一！整颗芯片的功耗水平降低30%、性能也可以提升30%！而IBM的方案显然无法赶上45纳米工艺的档期，为此将运用于下一代32纳米技术，并着手在32纳米开发上赶上英特尔的步伐。据悉，IBM通过一种高K值电介质先加工栅极（High-K Gate-First）的新工艺来实现平滑的过渡，这项工艺可以确保高K值电介质金属栅极技术更简单和更快速实现，尤值得称道的是，IBM并非只是获得理论上的成功，而是已经制造出基于高K值电介质金属栅极的SRAM芯片，在纽约East Fishkill生产工厂的实验室里，IBM表示这项新工艺可以让芯片的能耗降低45％，芯片的性能可获得30％的可观升幅！

尽管IBM只计划在32纳米中启用该项技术，但AMD仍在寻求45纳米工艺导入高K值电介质金属栅极的可能性—AMD目前的局势非常不妙，K10架构竞争力不足，制造工艺又落后英特尔一代，AMD计划于2008年提前升级到45纳米工艺，但能否如愿还有待观察。