硅半导体材料已经逐渐逼近了自身极限，在32纳米之后，硅材料很难获得进一步的发展空间，业界普遍认为性能更优越的碳晶体管将接替传统硅技术的地位。相比硅晶体管，以碳纳米管材料制作的新型晶体管具有更优秀的性能，碳晶体管的开关速度比硅晶体管快上十倍，而功耗却要低得多。目前在这一领域，IBM处于研究前列，IBM将重点放在碳晶体管的构建方面，但尚未涉及到碳芯片的量产—来自普林斯顿的最新研究成果填补了这一空白。

据悉，普林斯顿大学的Stephen Chou教授和毕业生Xiaogan Liang在研究工作中发现了一种实现碳基板量产的快捷方法，该方法利用一种“Graphene”的碳纳米管基板上创建晶体管—这项研究的主要困难在于Graphene基板尺寸太小、仅有几个平方毫米，而目前的CPU普遍都需要几百个平方毫米数量级，硅晶圆的直径更是超过200毫米。而研究者拿出的解决方案就是将多张小面积的Graphene拼接在一块传统的硅基板上，硅基板用于逻辑电路安放，碳纳米管则用于制造晶体管，相当于传统硅技术与碳晶体管技术的混合，从而得以实现快速商业化生产。不过研究者表示，他们下一步的方向是增大Graphene基板的尺寸，以减少拼接的数量，最终实现整个芯片都在碳基板上制作，即晶体管与逻辑电路都为碳纳米管材料—一旦这个计划获得成功，那么芯片的性能可以在现行基础上提升10倍！作个形象的比方就是，Core 2 Duo处理器的工作频率可超过20GHz，而芯片功耗仍能控制在现行的水平上，其发展远景十分诱人。