45纳米工艺的商业化应用也意味着半导体工艺距离发展极限又近了一步，而继续前进的代价也将越来越高。业界普遍认为，目前常用的193纳米深紫外（DUV）光刻技术只能用到下一代的32纳米，之后的20纳米时代则必须转入13.5纳米远紫外（EUV）光刻技术，而EUV技术需要半导体工厂更换更多的设备，成本极为高昂。

我们知道，现行的DUV光刻技术始于1995年，当时的半导体工艺处于微米阶段，大约在九十年代末，就有一些半导体业界的专家认为DUV技术将在2003年左右发展到极限，之后的100纳米工艺时代将需要使用更先进的EUV光刻技术，由于DUV设备无法平滑升级到EUV体系，引入EUV光刻技术就意味着需要极高的转换代价。不过，在科研人员的努力下，DUV的寿命被大大延长，直到现在45纳米工艺依然采用DUV技术，将在09年底引入的32纳米技术也将继续沿用DUV，这相当于大大削减了升级的成本。不过DUV的寿命也到此为止，无论英特尔还是IBM，都认为此时DUV到了最后的极限，半导体工业在进入20纳米时代时必须依靠EUV技术。

近日，麻省理工学院的科学家宣布打破了这种常规，他们成功地使用DUV光刻技术制造出25纳米尺寸的管道，进一步延续了DUV技术的生命周期。根据研究报告，MIT的科学家通过干涉光刻技术（全息光刻）实现了这一点，方案异常简单，而且光刻印刷过程不再是问题，问题主要出现在原材料方面—现行的半导体硅材料基本已达到极限，因此在25纳米条件下，管道侧壁的粗糙度已较难控制，要进一步缩小线宽难度颇大。全息光刻技术的另一项缺点在于只能制造规则排列的图案，而很难产生任意形状的复杂图案，不过目前有很多芯片的电路布局都为规则图案，所以全息光刻技术依然具有很高的价值。研究人员表示，基于DUV的全息光刻技术可用于制造存储器、集成电路芯片和太阳能电池等IC芯片，但对于复杂的微处理器来说则未必能够胜任。因此，微处理器工业仍必须寄希望于革命性的EUV技术—值得庆幸的是，该领域的研究已经获得突破性进展，并预计可在16纳米工艺阶段投入商用化，时间大约会在2013年。